SK海力士开始交付HBM4E样品12层堆叠，48GB容量，速率可达16Gbps

SK海力士宣布，已向主要客户供应HBM4E样品，这是面向人工智能（AI）应用的下一代超高性能DRAM。

SK海力士表示，凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验，已成功向客户提供12层堆叠的HBM4E样品，接下来将与主要客户紧密协作，确保产品能按时量产。凭借在HBM3、HBM3E和HBM4上积累的量产和供应经验，始终能够适时提供符合客户需求的存储器解决方案。未来将继续依托经市场认可的品质和供应能力，与客户携手解决AI系统瓶颈问题，全力支持下一代基础设施的构建。

新产品相比于上一代的HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。另外HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行，将进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。

SK海力士在HBM4E产品采用了Advanced MR-MUF工艺，通过12层堆叠实现48GB容量的同时，进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比，HBM4E的热阻降低了约17%，确保了在高性能计算环境中的稳定运行。