德国光学巨头蔡司半导体业务负责人表示:
中国想要研发出euv及紫外光刻机还需要大约15年，这是一个合理的假设，但是中国真实研发速度很难量化，我们没办法准确判断。
同时出口管制反而会刺激中国加速自主创新。

他说的15年只是合理假设，并不是板上钉钉的事，他自己也承认，没办法准确摸清我们的真实进度。

出口管制确实会影响创新进度，像全套设备，零部件图纸买不到，只能自己一点点去摸索。

但同时另一方面他也承认出口管制会倒逼中国加大投入，加速自主创新，进度有可能会比预估更快。

能够量产euv光刻机确实还有很长的路要走。
就算能够制造出实验室样机和能够放到晶圆厂24小时不停稳定生产芯片完全是两回事，能造出样品不等于良品率，寿命维护全都达标，就算造出样品机到商业化还需要很长的时间要走。


举个例子吧，就算能够造出实验室样机能刻出芯片，能代表原理走通了，实验室样机可以不在乎成本，可以不计代价打磨零部件可以不计良率，100片里面哪怕只成功了一片也没有关系，可以天天安排工程师守在旁边调试坏了就行，但是他不保证丢进工厂24小时能够连轴转的生产。

Euv光刻机要想商业化，必须三件事全都达标:

第一:能够稳定的制造出对应规格的芯片
第二:生产出来芯片大部分都是合格品，良率比较高
第三:光刻机可以成年累月连续运行，故障率低。维护费用不能贵到离谱。

如果搞出一台euv原型机，很大概率会遇到性能勉强达标，但是良率低，设备维护费用极其昂贵，或者是故障率高，动不动就要停机大修。

那么你造出来的芯片价格比较高。也就失去了竞争力，毕竟工厂买设备是用来挣钱的，不是用来放在实验室当展览品的。

当然了，能够制造出实验室样品可以培养工程师吃透euv技术难点，然后来测试新型的材料和光学组件。也是走向商用必不可少的一环。

技术研发没办法用具体多少年来验证，如果某一个关键环节实现了重大突破，时间可能会缩短，但如果某些关键材料持续无法突破，时间也有可能会拉长。

目前来看，7nm及以下顶尖芯片我们确实很难自主研发，像成熟的14nm芯片，28nm芯片，我们已经实现了突破，制造厂EUV光刻机，也只不过是时间问题。