深夜重磅！国产颠覆性存储芯片要来了。韩媒“爆料”长鑫存储技术路线，无需EUV光刻机即可实现存储高性能……消息上：据韩媒报道，长鑫存储正于合肥秘密建设尖端研发产线，主攻“键合DRAM”技术。该技术无需EUV光刻机即可实现高性能，被视为存储芯片领域的颠覆者。公司已调集大量顶尖工程师，力求在商业化进程上赶超韩国企业。如果消息一旦得到证实，长鑫存储真的正在研发的“键合DRAM”技术，并能突破无需EUV光刻机也能制造高端存储芯片，那么对于我们存储整个产业链来说无疑是重磅利好了。这真的有望打破外围设备封锁，还会直接去冲击韩国企业在高端DRAM的垄断地位，我们存储芯片直接往上拉升一个台阶，同时助力我们在AI存储芯片领域加速追赶。目前此消息还没有得到官方途径的证实，不过此消息必然会对存储芯片板块来产生巨大情绪性利好，这个已经毋庸置疑。一旦消息成真，我们的存储产业链必然会再一次腾飞，而且还是“革命性”的腾飞。
