韩媒爆出中国芯片技术关键突破，绕开了光刻机的限制
传统内存芯片，存储存储数据的存储单元、控制运算的电路必须做在同一块硅片上。想把内存做得容量更大、速度更快，就得把电路线条越做越细，必须采购EUV极紫外光刻机，而这款设备国内拿不到。

长鑫键合DRAM换了新思路：
把存储晶圆、控制电路晶圆分开生产，两块晶圆只用国内现成成熟的DUV深紫外光刻机就能加工；两片芯片做好后，像粘积木一样高精度贴合绑定（键合）在一起，最终做成高性能内存。
这套技术能大幅提升内存容量、运行速度，业内公认会彻底改变存储行业。

长鑫已经在合肥搭建完成试验生产线，全力攻关这项技术，调集大量顶尖工程师，目标抢在三星、SK海力士前面实现量产商用。

最关键一点：完全绕开EUV光刻机限制，只用国内现有成熟光刻机设备，就能造出高端高密度DRAM内存，解决国内存储芯片最大的设备卡脖子难题。

过去高端DRAM、HBM都绕不开EUV设备，外部限制直接卡住国内高端存储升级；键合DRAM靠成熟DUV设备就能做高端内存，走出一条不受海外设备约束的差异化路线，国产存储不用死磕先进光刻。

键合工艺核心是晶圆键合设备、3D先进封装，利好国内封测企业、混合键合专用设备厂商，行业迎来大规模扩产、订单放量预期。
不用EUV，现有成熟DUV产线价值大幅提升，光刻胶、抛光液、特种电子化学品等国产耗材需求长期增长。