三星HBM4四个月狂揽10亿美元，SK海力士却放慢扩产脚步
存储大厂竞相加速新一代HBM技术竞赛之际，三星电子和SK海力士在HBM4发展上却出现了不同的策略。
据悉，目前三星HBM4产品营收已突破10亿美元，该产品今年2月实现量产，仅耗时四个月便达成这一规模，为行业首款达成该营收量级的HBM产品。结合截至6月末的业绩预测数据，三星HBM4营收有望突破12亿美元。
TrendForce表示，依托当前强劲的出货势头，三星凭借底层裸片采用4纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺，构筑起HBM4技术优势。由于三星HBM4客户认证进度领先竞品，市场机构小幅上调其全年出货预期，全年总容量预期从35亿吉比特上调至40亿吉比特。
而SK海力士放缓HBM4扩产节奏，将经营重心转向布局通用DRAM市场。业内分析认为，公司HBM营收占比已超40%，行业优势稳固，因此不再盲目参与扩产竞赛，转而调配产能资源，在供给严重紧缺的通用DRAM市场挖掘增量收益。
业内消息称，SK海力士原定计划将部分第五代HBM（HBM3E）产线切换至HBM4，目前该产线改造进度已延后。现阶段通用DRAM营业利润率高于HBM，企业计划提升通用DRAM供货能力以增厚利润。SK海力士在HBM市场根基扎实，因此判断无需急于全面切换至HBM4、HBM4E（第七代HBM）。
此番战略调整的核心原因，是通用DRAM与HBM出现盈利水平倒挂。按今年一季度数据测算，通用DRAM每吉比特单价虽仍低于HBM，但双方营业利润率差距已扩大15个百分点以上。大信证券预测，年内通用DRAM营业利润率有望攀升至理论峰值90%。