存储专家交流供需缺口梳理

聚焦存储赛道，本文拆解与梳理国内 DRAM 及 HBM 产业现状与产能节奏。
一、长协定价：基准价叠加季度上浮，国内紧跟海外价差收窄至 5 个点
海外原厂采用年度基准价加季度浮动机制，二季度基准价确立后，三季度、四季度逐季上调，当前所有合约价格均处于上行通道。
一季度与二季度长协价格累计翻倍，幅度约 110% 至 120%，三季度涨幅收窄至约 30%。HBM 方面，以海力士为例，最终谈定涨幅约 55 个百分点。
国内原厂与海外价差已压缩至 5 至 6 个点，海外涨 30%、国内跟涨 25%，从 DDR 到 HBM 各品类同步跟进，跟涨节奏明显快于往年。
长协统一为一年一签、锁量不锁价，价格按季度浮动，与海外标准形式一致。
大厂集中签约窗口在每年 8 至 9 月，今年 8 月初腾讯刚签下 300 亿元订单。
二、DRAM 供需：缺口逐季扩大，产能规划爬坡至月产 100 万片
国内 DRAM 今年整体需求量约 28 万片 / 月，覆盖手机、电脑、汽车及企业级全部终端。下游缺口从一季度到二季度到三季度持续放大，海外缺口已传导至国内，且短期内无法补足。
手机与 PC 厂商对涨价已有抵触情绪，后续消费端涨价空间受限，但服务器端需求不受影响。
产能规划方面，明年扩至 50 万片 / 月，后年 65 万片，大后年约 80 万片，"十五" 规划目标 100 万片 / 月。保守节奏为每年新增 15 万片，若进度不及预期将加速扩产，今年大概率已在加速。明年国内 DRAM 总需求约 65 万片，即使计入长鑫及小厂产能，缺口仍有约 18 万片。
三、产品结构：DDR5 占比八成，DDR6 明年量产单 GB 约 4.3 美金
当前国内市场 DDR4 占比约 20%、DDR5 占 80%。
明年结构调整为 DDR4 约 10%、DDR6 约 10%、DDR5 约 80%。
长鑫自身产能分配更为激进，已将全部 DDR4 产能转为 DDR5，实际比例为 DDR5 约 90%、DDR6 约 10%，DDR6 产品明年推出。DDR6 单 GB 售价约 4.3 美金。
企业级与消费级占比方面，去年企业级约 20%，今年提升至 40%，明年预计达 60%，该估算偏保守，实际可能因服务器需求放量而进一步上修。
四、HBM 供需：国内需求明年达 11.5 万片，自产产能仅覆盖约一半
HBM 国内今年需求量约 6 万片 / 月，本土供给仅 1 万多片，缺口原本可通过海外采购弥补，但从三季度起海外 HBM3 已无法买到，寒武纪断供为标志性节点，若仅计入本土供给，缺口比例接近 70% 至 80%。
明年国内 HBM 需求预计约 11.5 万片 / 月，主要基于华为昇腾 950（按 400 万颗出货测算）及寒武纪 690 后续产品拉动，仅华为一家需求量即达 8 至 9 万片。
长鑫 HBM 产能年底可达 1.5 至 2 万片 / 月，明年目标扩至 7 万片，但参照海力士扩产偏差（目标 50 万实际 30 万），最终可能仅达 5 万片，缺口约一半无法靠本土产能解决。
五、HBM 技术与客户：HBM3 良率爬至 62%，当前 100% 供应华为
长鑫 HBM3 采用 8 层堆叠工艺，最新良率已达 62%，虽仍低于海外水平，但已满足量产条件。明年 HBM2 产能将全部转为 HBM3，5 万片目标产能全部聚焦 HBM3，该代际缺口当前最大。
良率明年目标提升至 75%，前期爬升较快、后续难度加大。产能扩张部分从 DRAM 产线转产，与海外路径一致，因 HBM 堆叠存在折损，等效片数换算难度更高。
客户方面，当前 HBM 产能 100% 供应华为，华为与寒武纪库存均已消耗殆尽，下游催货压力直接倒逼扩产。福建晋华 HBM 团队已解散，核心人员跳槽至长鑫，华为自身也已明确不再自研 HBM。苹果主动寻求合作，无需技术验证，最终取决于国资委审批，若落地因苹果报价高于国内客户，产能将优先切给苹果。
六、销售渠道：长协替代散货，模组自研比例从 70% 继续上提
下游模组厂分配份额已从约 20% 压缩至 10%，兆易创新等芯片设计厂仅获 1 至 2 个点产能，部分时段甚至停止供货。
长鑫自研模组与第三方比例当前为七三开，未来将继续提升自研占比，最终目标全部自营。
渠道调整的核心原因是经销商与模组厂存在囤货炒作行为，7 月份存储价格短期下跌即源于散货市场集中抛货，而服务器与 HBM 长协订单不受影响。
全面转向 B 端长协后，价格将稳中向上，每年上涨 10% 至 15% 可持续性更强，避免暴涨暴跌对收入端的冲击。
七、上游供应链：后道测试设备突破，材料端保供无虞
1.设备端，后道 FT 测试机方面，精智达 18G 速率产品历经 6 轮测试，上周五通过最终验证，为历史性突破，预计 8 月底至 9 月初完成商务谈判后下单，9G 产品四季度也将下单，份额将因替代长川科技而扩大。
前道检测设备因与芯碁微装（新凯来）合作纠纷，已重新测试其他供应商，短期无进展。
2.材料端，前驱体仍由雅克科技供应，占采购比例约 45%，不会出现断供。气体供应商以广钢气体为主，占比约 60%，中船特气、中广核等亦有份额，气体类已基本实现国产化。
光刻胶国内与海外各占约一半，国内玩家包括鼎龙股份、南大光电、彤程新材、晶瑞电材等，因参与者众多，单家份额难以突破 10 个点，HBM 光刻胶技术门槛低于市场预期。载板方面，深南电路与兴森科技均已导入，各占 5 至 10 个点，合计约 20%，载板本身不缺，瓶颈在 BT 树脂等上游材料，国内供应商仍在测试阶段。
整体判断：材料端因供应商多、具备保供属性，不构成产能瓶颈；设备端合格供应商仅一两家，且验证周期长，是国产替代的核心短板。
八、行业展望：2029 年供需趋稳，HBM 明年价格上行约 80%
英伟达通过 NVLink 及 Rubin 架构优化，最多可降低 10% 至 15% 的 HBM 用量，GDDR7 替代 HBM 的尝试已失败，架构调整无法实质性改变供需格局。
国内云厂商从 0 到 1 的需求释放（腾讯此前未大规模下单）将带来数倍增量，全球产能均无法满足中国市场缺口。
供需平衡时点预计在 2029 年，届时服务器出货量增速放缓、产能扩张接近尾声、HBM 缺口解决大半。
2029 年后行业进入稳态，年价格涨幅维持 5% 至 10%，存储从周期性行业转为常态化成长行业。
HBM 方面，海力士已向英伟达给出明年全年涨幅约 80% 的指引，英伟达已认可，国内将同步跟涨，且因本土缺口更大（50% 以上）及良率成本因素，国内涨幅可能更高。2028 年起 HBM 供需逐步缓解，2029 年进入健康增长通道。
行业梳理
DRAM 及 HBM 原厂：长鑫存储（主力供应商，DRAM+HBM 双线扩产）
模组与芯片设计：江波龙、佰维存储（第三方模组厂，份额压缩）、兆易创新（DDR 芯片设计，产能分配 1 至 2 个点）。
HBM 下游客户：华为（昇腾 950，HBM 第一大客户）、寒武纪（690 系列，库存已耗尽）、腾讯（8 月初签 300 亿订单）、字节跳动、阿里巴巴、苹果（洽谈中）。
上游设备：精智达（后道 FT 测试机 18G 通过验证）、长川科技（份额被替代）、芯碁微装 / 新凯来（前道检测合作纠纷）、联讯仪器（测试中）。
上游材料：雅克科技（前驱体，45% 份额）、广钢气体（电子特气，60% 份额）、中船特气、鼎龙股份、南大光电、彤程新材、晶瑞电材（光刻胶）、深南电路、兴森科技（载板，各 5 至 10 个点）。
风险提示：产能爬坡不及预期，下游需求波动。