三星HBM4良率升至80%，HBM竞争进入产能争夺阶段

随着AI服务器需求持续增长，HBM（高带宽内存）已经成为存储产业竞争的核心。相比传统DRAM市场，HBM凭借更高利润率和更强需求，正在成为三大存储厂商争夺的新战场。
近日，据报道，三星电子 HBM4 量产良率已经提升至80%，较今年2月开始量产时不足60%的水平明显改善。这意味着三星正在快速解决此前 HBM 生产中的关键瓶颈，并为进一步扩大供应能力创造条件。
随着 HBM4 良率提升，HBM 市场竞争也正在发生变化。过去几年，SK海力士凭借较早布局HBM 以及与英伟达等客户的合作，占据市场领先地位。如今三星正在通过提升良率、扩大产能，加速追赶，HBM竞争的焦点也正在从技术研发逐渐转向规模化生产能力。
三星HBM4良率快速提升，量产能力成为关键

HBM是一种通过先进封装技术将多层 DRAM 芯片垂直堆叠的高性能存储产品，主要用于AI加速器和高性能计算系统。
相比普通 DRAM，HBM 制造流程更加复杂，不仅涉及 DRAM 晶圆制造，还需要结合晶圆堆叠、先进封装以及高精度互连等多个环节。因此，良率一直是影响 HBM 大规模供应的重要因素。
据报道，三星 HBM4 在量产初期良率低于60%，但经过半年左右的工艺优化，目前已经提升至80%左右。业内认为，80%通常被视为高端半导体产品实现稳定量产的重要节点，意味着生产过程中的缺陷率明显下降，也能够进一步提升盈利能力。
三星良率提升主要得益于两个方面。
首先，是 TC-NCF（热压缩非导电薄膜）工艺的改善。此前，TC-NCF 一直被认为是三星HBM制造中的薄弱环节，而近期工艺优化帮助公司提升了产品稳定性。
其次，是作为HBM4基础的 1c DRAM 工艺已经建立较好的生产基础。据悉，三星今年早些时候已经将1c DRAM良率提升至80%以上，为后续HBM4量产提供了支持。
与此同时，三星也正在扩大HBM供应能力。据报道，公司计划第三季度HBM4收入较上一季度增长三倍以上，预计2026年下半年HBM4收入占整体HBM销售比例超过60%。
三星目标是在今年年底前，将HBM市场份额提升至约38%，接近其整体DRAM市场份额。