国产算力反弹结束了吗

聚焦国产算力与半导体设备赛道，本文梳理国产算力的产业基本面信息与市场运行逻辑。

一、下半年科技板块的核心运行特征 

7 月底至 8 月初的半导体指数低点，为下半年及未来一年的底部区间。本轮 AI 硬件行情自 2024 年 9 月启动，此前已出现三次关键底部节点，分别为 2025 年 4 月 7 日、2025 年 11 月 24 日、2026 年 3 月 23 日，8 月初底部的级别与前三次相当。

大级别行情启动时点对应年底跨年窗口。牛市周期中，景气主线通常存在两段核心行情：

1.二季度上行阶段由当年景气释放驱动，年底跨年行情由次年景气预期驱动，启动窗口多在 12 月前后。

2. 8 月以来的修复属于小级别行情，驱动来自 7 月超跌修复叠加产业信号修正市场悲观预期；跨年行情的核心催化为 2027 年行业资本开支指引逐步明确。

见底后行情以震荡上行为主，市场机会集中在结构性方向。二季度上行阶段的核心抓手为仓位与科技白马标的，下半年需围绕 AI 硬件技术迭代、订单边际变化挖掘细分方向机会，核心线索包括国产算力产业链、半导体设备 / 零部件 / 材料订单催化、海外算力链芯片化技术变化。

二、短期调整的性质与后续演化 

8 月反弹以来市场波动率逐步放大，近一周的高波动本质为消化技术面指标与前期获利盘，震荡上行的运行主基调未发生改变。

AI 硬件板块内部分化将持续加剧。反弹初期呈现普涨修复特征，随着行情推进，产业基本面与催化的差异将逐步拉开标的表现差距，内部分化是下一阶段的核心特征。

三、半导体设备板块的预期定价与突破条件 

6 月高点对应 2027 年合计月产能 30 万片的乐观预期。6 月 30 日半导体设备板块的股价高点，定价包含市场对长江存储、长鑫存储 2027 年合计月产能 30 万片的乐观预期。催化来自三星、SK 海力士 6 月底发布扩产规划，美光 7 月初跟进，推升全球半导体设备市场空间预期。

当前扩产预期未出现新的上修。7-8 月行业未出现新的扩产预期上修，当前产业端实际扩产量大概率落在 20 万 - 30 万片 / 月区间。在扩产预期未显著上修的背景下，板块较难突破前期高点。

板块突破前高存在两个核心驱动条件：

1.AI 行业资本开支逻辑持续边际上修，带动上游晶圆厂与半导体设备的资本开支预期同步抬升；

2.估值向 2028 年切换，若 AI 需求端趋势维持市场共识，随着时间推移，板块将自然完成对 2028 年订单与增速的估值切换，无需上游制造环节新增叙事。

四、长存链与 HBM 环节的产业边际变化 

长江存储国产化基数更高，提升弹性弱于长鑫存储。长江存储设备材料国产化启动更早、现有国产化率基数更高，多数前道设备厂商已进入其供应链，仅少数品类国产化率仍处低位，国产化率提升的弹性弱于长鑫存储。

长存链存在三个边际突破方向：

1.量检测设备：膜厚 OCD 领域国内厂商有望实现国产替代，完成长江存储供应链从 0 到 1 的突破；明暗场检测技术难度更高，国内突破进度相对较慢。

2.逻辑层代工：三季度末至四季度，国产 CF 光刻胶 + CBA 逻辑层代工厂商将推进量产落地。

3.后道测试设备：3D NAND 的 FT 测试机国产化率较低，国内厂商具备先发突破机会。

HBM 良率提升的核心卡点为超声波检测。国内 AI 芯片的产业瓶颈逐步转向 HBM 环节，当前国产 HBM3 良率偏低，超声波探伤是解决良率问题的核心瓶颈环节，相关检测设备厂商为产业关键节点。

五、行业梳理

半导体前道制造设备：微导纳米、中微公司、拓荆科技

半导体量检测设备：精测电子、中科飞测

半导体后道测试设备：精智达

逻辑层代工：华润微

HBM检测：骄成超声

风险提示：AI 资本开支松动，扩产及产品验证不及预期。