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低50%!传英特尔先进封装成本仅台积电一半? 英特尔的先进封装迎来里程碑。外媒

低50%!传英特尔先进封装成本仅台积电一半?
英特尔的先进封装迎来里程碑。外媒报导,英特尔的 EMIB-T 先进封装技术良率已突破九成,预计明年开始量产,成本只要台积电 CoWoS 的一半,并成功拿下联发科订单,博通、 Meta 等大咖也正评估采用。

外媒《 Wccftech 》报导, EMIB-T 的成本约比台积电 CoWoS 低 50% ,主因 EMIB-T 无需使用成本高昂的大面积硅中介层。

由于目前先进封装产能仍供不应求,外界预期,英特尔 EMIB-T 现阶段不至于瓜分台积电先进封装生意,而是分担客户需求,但有助英特尔未来抢攻更多订单,强化自家晶圆代工业务整体实力,最终目的仍是要与台积电竞争。

市场盛传英特尔先进封装后段良率已提升至 90% 以上,达到可量产水平,不过英特尔过往没有发布良率相关数字,公司并未置评。

据了解,英特尔 EMIB-T 至少已赢得联发科 ASIC 订单。联发科在 4 月仅透露正投资两种封装技术方案,且会与这两种方案的伙伴紧密合作,提供客户优质高效益的解决方案。


联发科日前于进一步透露,会协助客户运用 CoWoS 与 EMIB-T 技术,开发各种超大芯片尺寸的高效能 ASIC ,证实采用英特尔的先进封装方案。

英特尔先前公布可单独承接先进封装业务。该公司 EMIB 2.5D 封装方案是嵌入使用面积非常小的硅桥搭配多层布线,来取代其他方案使用的大面积硅中介层,并支持高带宽内存( HBM )整合,标榜最适合当前的 AI 应用,可提供高带宽、低延迟的 die-to-die 连接,更弹性的小芯片配置,以及较低成本与制造复杂度。

根据英特尔释出的资料,在 EMIB 2.5D 方案中, EMIB-T 版本加入 TSV 技术,强化垂直供电,并支持从其他封装技术转换设计。外媒报导,英特尔先进封装正吸引外部客户对其晶圆代工业务的关注。 EMIB 技术能让设计人员使用 2D 、 2.5D 与 3D 的建构模块,在系统层级最佳化成本、功耗及带宽。
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