Counterpoint信息，当前主流的HBM采用的是Micro-bump（微凸块）+TCB（热压键合）技术，但只能支持12-16层堆叠，但未来的容量提升、速度提升和散热的需求，HBM将超过20层堆叠，Hybrid Bonding将成为主流。
三星已经在HBM4采用Hybrid Bonding。端侧的NPU+3D DRAM也是Hybrid Bonding。
Counterpoint信息，当前主流的HBM采用的是Micro-bump（微凸块）+TCB（热压键合）技术，但只能支持12-16层堆叠，但未来的容量提升、速度提升和散热的需求，HBM将超过20层堆叠，Hybrid Bonding将成为主流。
三星已经在HBM4采用Hybrid Bonding。端侧的NPU+3D DRAM也是Hybrid Bonding。
