【DUV光刻机榨到极限！长鑫G6内存面积再缩30%：键合工艺首次登场】国产长鑫下一代G6内存技术参数流出，将全程用DUV工艺生产，最快2028年推出，芯片单元面积缩减30%，引入晶圆级混合键合技术，在缺EUV条件下逼近DUV工艺物理极限，后续G7将转向3D DRAM架构。
【DUV光刻机榨到极限！长鑫G6内存面积再缩30%：键合工艺首次登场】国产长鑫下一代G6内存技术参数流出，将全程用DUV工艺生产，最快2028年推出，芯片单元面积缩减30%，引入晶圆级混合键合技术，在缺EUV条件下逼近DUV工艺物理极限，后续G7将转向3D DRAM架构。
