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野村证券发了个国产芯片设备材料的报告,中国半导体设备市场,2026—2030年累计支出高达4073亿美元,其中约97%来自国内晶圆厂。 1、没有euv,国产芯片只能靠多重曝光解决,所以,就得多来一轮沉积、刻蚀、清洗、CMP循环,euv的活转给了刻蚀和沉积等,通过堆设备,结构性增长来达到 2、长江存储和长鑫存 ​

野村证券发了个国产芯片设备材料的报告,中国半导体设备市场,2026—2030年累计支出高达4073亿美元,其中约97%来自国内晶圆厂。1、没有euv,国产芯片只能靠多重曝光解决,所以,就得多来一轮沉积、刻蚀、清洗、CMP循环,euv的活转给了刻蚀和沉积等,通过堆设备,结构性增长来达到2、长江存储和长鑫存储,加速扩产,国产率提升。存储芯片扩产,存储是设备密集型,每新增一层堆叠,刻蚀、沉积设备同步增加,单台设备单位时间产出下降,同等产能需要更多刻蚀机。存储几乎不用 EUV(HBM 配套先进 DRAM 除外),资本开支大头不在 EUV,而在**刻蚀 + ALD 薄膜**。