中国实现氧化镓单晶的重要突破，氧化镓单晶芯片耐压是硅芯片的3000倍以上，能在1000℃高温下工作、还能抗辐射。氧化镓是个新课题，目前全球同步研发，我国避免再被卡脖子。用硅做芯片需要依赖进口设备，已被美日包围突围无望。碳化硅被欧美日专利封锁。目前只有氧化镓这个赛道咱们可以超过他们。
2023-2025年间，我国多个科研团队如浙江大学、山东大学、北京科技大学等成功研发出4英寸氧化镓单晶，约手机屏幕大小。这些高质量晶体缺陷少、纯度超99.99%，自主生长技术导模法、提拉法先进。但量产仍在攻关中比如材料脆、加工难。
氧化镓属于 “超宽禁带半导体”，可理解为 电力电子材料的“厉害赛亚人”，它的核心价值是让充电器小到能“消失”。目前手机快充头半个手掌大，电动车充电桩像冰箱。氧化镓芯片的产品做成的充电芯片损耗降低70%，发热剧减。手机快充头可缩小到U盘大小，电动车充电桩体积减半。你的电子设备更轻便，电动车续航提升很多。
目前中国电网输电损耗差不多是3个三峡年发电量，约3000亿度电，新能源逆变器效率仅97%。氧化镓能改变什么？高压电线变电站设备用氧化镓芯片，损耗再降50%。光伏/风电逆变器效率逼近99%，能多赚2%电，相当于多供百万家庭。并且电费间接下降，清洁能源更划算！
氧化镓芯片耐压是硅芯片的3000倍以上，耐高温可以大于1000℃、并且人家抗辐射。航天器电路在宇宙辐射中不罢工，电动汽车电机控制器在高温下稳定输出，核电站机器人芯片抗辐射工作。
可造出深紫外激光和探测器，波长＜280nm，便携设备秒测新冠病毒、农药残留，深紫外光识别分子。高分辨导弹预警卫星大气层外看更清。工业瑕疵检测更凸出，如如芯片微裂纹。简单说：在芯片材料“换赛道”机遇中，中国第一次和发达国家站在同一起跑线，拿下它=掌握未来电力电子、军工、能源的命脉！中国突破氧化镓单晶，就是在为未来10年的“用电自由”“科技自主”打地基！
山不在高
如果功率硅芯片耐压是200V，那氧化嫁耐压是多少？我不会算[抠鼻]