“中国永远都造不出光刻机？”去年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直言：“美国都造不出，中国永远也造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能造出光刻机。 一听到“中国永远都造不出光刻机”这个消息的时候，人们特别愤怒，谁敢这样保证我们造不出来？以后的事情谁能说的清楚？ 当大家知道说出这番话的人是中国的物理学教授时，更是觉得难以接受。就算当下中国在光刻机领域还存在困难，或许暂时造不出或者技术还不够先进，但也不能断言永远造不出来啊。 要知道，中国在光刻机领域并非从零起步。早在上世纪60年代，中国已研制出接触式光刻机，1985年研制的分步光刻机与国外差距仅7年。2002年上海微电子成立后，国家将光刻机列为重大专项，重启追赶之路。2009年，我国再次生产出了先进光刻机，紧接着完成了三次关键性技术突破：封装光刻机反超，占据全球80%封装市场；2024年DUV光刻机突破，成功实现65nm干式DUV光刻机国产化，套刻精度达8nm；哈工大借助中科院开发的高功率极紫外光源，攻克了激光干涉仪技术，为EUV光刻机奠定基础。 如今，我国的光刻机产业正在形成一套完整的生态链：上游企业包括科益虹源、福晶科技、华特气体，分别实现了光源、激光晶体、光刻气体这些核心材料的国产化；中游企业由上海微电子进行整机集成，芯源微涂胶显影设备进入中芯国际生产线；下游方面，中芯国际SAQP技术实现DUV光刻机生产10nm芯片，验证了国产设备的可靠性。 有人可能会说，EUV光刻机才是顶尖技术，中国还差得远。但ASML的EUV光刻机也并非完全自主，其8000个核心零部件中，仅有10%是ASML公司提供，其余均来自全球500多家供应商，最核心的光源、高精度镜头和精密仪器制造技术，分别由德国和美国公司提供。而中国在EUV光源领域已取得突破，2025年4月，中科院上海光机所成功研发出基于固体激光器的LPP-EUV光源，能量转换效率达到3.42%，超越欧美同类型研究水平，为国产EUV光刻机研发奠定关键技术基础。 更关键的是，中国正在探索新的技术赛道。量子芯片技术方面，我国的“祖冲之三号”量子芯片运算能力极高；芯粒技术通过异构集成开发车载芯粒系统，降低对单一先进工艺的依赖；异构计算技术整合不同架构的计算单元协同工作，“天河”系列超算采用的就是这种架构。这些新赛道的探索，让中国在无法自主生产最顶尖芯片的情况下，仍旧可以完成最先进的高科技实验。 荷兰专家曾预测，10年后中国可能造出EUV光刻机，达到ASML目前的水平。历史上，中国在被技术封锁的领域往往能实现突破，比如北斗卫星导航系统、盾构机等。如今，中国在光刻机领域的投入不断加大，产业链逐步完善，技术迭代速度加快。正如清华大学的SSMB-EUV光源方案，虽然仍在推进中，但原理验证已成功，未来有望解决自主研发光刻机中最核心的“卡脖子”难题。 所以，朱士尧教授的断言显然过于绝对。中国在光刻机领域的进步有目共睹，从成熟制程到先进制程，从DUV到EUV，从材料到整机，都在稳步推进。虽然目前在最顶尖的EUV光刻机上还未完全攻关，但中国特色的创新生态正在形成，无论是技术积累还是战略布局，都展现出强大的潜力。正如黄岩岛的战略布局一样，中国在光刻机领域也在下一盘大棋，用时间换空间，用智慧破封锁。等你反应过来的时候，局势已经变了。这种棋，真要下起来，比技术对抗可怕多了。 最后说一句：光刻机这步棋，不仅解决了眼前的技术难题，更是为将来埋下了伏笔。等国产EUV光刻机建好了，半导体的天平自然就会倾斜。这才是真正的战略眼光：用最小的代价，赢得最大的优势。
