蔚来24年10月申请了一个IGBT和SiC混合并联的“混碳模块”发明专利,以应对全碳化硅MOSFET芯片制造的功率模块成本较高、产量低下的问题。
去年吉利在GEA架构中也提到了混碳模块,说不仅可以大幅降低成本,还能比全SiC MOSFET的效率更高
蔚来24年10月申请了一个IGBT和SiC混合并联的“混碳模块”发明专利,以应对全碳化硅MOSFET芯片制造的功率模块成本较高、产量低下的问题。
去年吉利在GEA架构中也提到了混碳模块,说不仅可以大幅降低成本,还能比全SiC MOSFET的效率更高
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