DRAM 到 2028 年在结构上看起来比 NAND 更紧俏。

来自 Bloomberg、TrendForce、Gartner 和 HSBC 的最新充足率图表将这两个市场区分开来。DRAM 从 2025 年末到 2028 年保持在接近平衡或略微负值的状态。

即使在其最佳情况下，它也仅勉强越过零值。NAND 在 2026 年上半年陷入深度短缺，低至约负 13%，然后在 2027–2028 年恢复至盈余。

波动因素是中国大陆的新供应。将这一产能剔除后，两个市场都将保持短缺。

DRAM 看起来尤其紧俏，到 2028 年底将趋向负 8%。NAND 也保持负值，但程度较轻。

因此，2028 年并非自动达到平衡。中国在扩大新 DRAM 和 NAND 产能的能力，或无力这样做，将决定市场是进一步收紧还是找到均衡。

AI 驱动的 HBM 和服务器 DRAM 需求是 DRAM 保持更紧俏的原因。NAND 则更易受消费和智能手机周期的影响。

关注中国产能的增加。这些将为 2028 年的定价和供应设定基调。

如果中国错过了那些 DRAM 产能增加，你认为 2028 年的充足率能跌到负 8% 以下多远？