谁能想到，存储芯片速度暴涨的秘密，居然是将钨换成钼。换了个金属，存储芯片迎来关键突破，SK海力士抢跑全球。SK海力士已完成375层NAND闪存验证，核心突破是用钼替代钨制作字线，解决高层堆叠下钨电阻过大问题，计划2026年底量产。随着3DNAND向400层以上演进，钼因低电阻、无需阻挡层等优势成为关键材料。李在明真的是韩国人的福星，自李在明上台以后，韩国的发展越来越顺。
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