ASML棺材板钉死!美中黑科技让光刻机彻底淘汰, 光刻机的葬礼即将举行!美国劳伦斯实验室研发的BAT铥激光器,可将EUV光源效率提升10倍,能耗锐减;挪威Lace Lithography公司更祭出原子光刻技术,声称分辨率领先EUV十五年,成本能耗双杀。纳米压印、电子束直写等替代方案加速商用,EUV光刻机从神坛跌落凡间!
连ASML内部路线图也自曝短板:现有EUV光刻机仅能支撑到2027年1.4nm工艺,之后必须依赖Hyper NA EUV技术续命,但后者仍存反射光污染等致命缺陷。而中国EUV-FEL光源技术路线一旦成熟,单光源可支持20条产线,成本碾压ASML!
我认为,光刻技术的垄断铁幕已被撕开,ASML若不变革,终将成为半导体进化史的化石!