日前从业内传来消息,三星电子和ASML的合资研发中心最晚将在2027年引入Hig

南斗星君 2024-02-08 13:33:06

日前从业内传来消息,三星电子和ASML的合资研发中心最晚将在2027年引入High-NA光刻机。High-NA EUV 光刻机可用于实现亚 2nm 级工艺。而英特尔已于去年底收到了 ASML 交付的首台High-NA EUV 光刻机。此前,三星电子已表示计划 会在2027 年实现 1.4nm工艺的量产。这么看来,在3nm之后可能芯片制造大厂们会在更高精度加工技术方面拼上了。

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