长鑫科技宣布349亿元投资狂砸349亿！长鑫科技两大项目落地，国产存储芯片加速突围国产DRAM龙头长鑫科技（688825.SH）发布重磅公告，拟投建两大存储项目，合计总投资额高达349亿元。公告显示，公司拟投入241亿元建设技术研发项目，其中使用超募资金130亿元；同时，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）增资+借款，配套50亿超募资金，落地存储器晶圆后道测试基地二期项目，项目总投资108亿元。二期项目将新建一座测试工厂，专门用于DRAM存储芯片测试与模组组装业务。就在不久前，长鑫刚刚官宣第五代DRAM技术平台顺利量产，24GB LPDDR5X芯片成功进入国产旗舰手机供应链。本次大手笔投入，一头加码前沿技术研发，另一头补齐后端封测测试短板，构建从芯片制造、测试到模组组装的完整产业链。全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家海外巨头垄断，长鑫作为国内唯一实现DRAM量产的企业，也是全球第四大存储厂商。当前AI算力爆发带动内存需求持续走高，存储周期上行，这次巨额资本开支，目的就是持续缩小和海外大厂的技术差距，进一步提升国产存储芯片自给率。一边攻坚先进工艺研发，一边自建测试产线，不再完全依赖外部封测，供应链自主可控能力大幅增强。对于整个国产半导体产业链来说，长鑫扩产研发，也会持续带动上游半导体设备、材料企业的订单需求。需要留意，项目建设周期较长，研发投入大，短期很难直接贡献业绩，后续还要看存储行业周期波动、产品客户拓展进度。