英伟达此前预测，2026年至2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增20倍左右，并已要求供应商在5年内将产能扩充至相应规模。另据机构统计，2025 年全球磷化铟器件需求约200万片，实际产能仅约60万片，供需缺口超50%。

磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具备高电子迁移速率及优异的光学性能，使之成为研制超高速、超高频器件的理想基材。

Trendforce研报指出，传统的可插拔收发器和CPO架构都依赖于基于磷化铟的激光器作为光源。对于长距离相干通信而言，其仍然是目前唯一经过商业验证的高性能电吸收调制激光器（EML）芯片衬底。

从供给端来看，磷化铟衬底行业扩产难度极大，单条产线投资超12亿元，扩产周期长达3年至5年，新增供给释放速度远远滞后于需求增速。究其原因，铟资源兼具稀缺性与伴生性，主要来源于原生铟提炼和再生铟回收，而高纯红磷作为基础材料，提纯技术壁垒同样较高。