海外光通信龙头Lumentum首席执行官Michael Hurlston近日在RAISE Summit警告称，磷化铟（InP）的供需缺口现在已经超过了DRAM和NAND，使其成为人工智能数据中心光互连扩展的最关键制约因素之一。磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具备高电子迁移速率及优异的光学性能，使之成为研制超高速、超高频器件的理想基材。受英伟达以及超大规模数据中心厂商拉动，电信客户以往数百件量级的订单，现已飙升至数亿件器件规模。另据机构统计，2025 年全球磷化铟器件需求约200万片，实际产能仅约60万片，供需缺口超50%。从供给端来看，磷化铟衬底行业扩产难度极大，单条产线投资超12亿元，扩产周期长达3年至5年，新增供给释放速度远远滞后于需求增速。究其原因，铟资源兼具稀缺性与伴生性，主要来源于原生铟提炼和再生铟回收，而高纯红磷作为基础材料，提纯技术壁垒同样较高。