DRAM涨价致终端提价15%-20%，三星电子3年资本支出1750亿美元。
近日，DRAM涨价倒逼苹果及微软等终端巨头将高走量SKU提价15%-20%，引发市场对消费电子需求破坏的恐慌，导致韩国KOSPI指数暴跌5.8%并触发熔断，美光大跌5.1%。然而，本轮提价本质是产能向HBM倾斜导致的传统DRAM供给挤压。供给端，三星未来三年实际资本支出仅约1750亿美元，6560亿美元长期扩产计划被证伪，叠加AMAT订单结构显示扩产集中于高端领域，传统存储供给刚性约束未破。此外，因超70%美国民众反对建设数据中心，算力瓶颈正倒逼边缘AI加速落地，ON计划收购SYNA及SNDK市占率逆势提升均印证此趋势。市场将结构性产能置换误判为需求崩塌，无差别杀跌已为高端存储与边缘AI核心标的砸出左侧击球区。