AI金属 锑（Sb）、碲（Te）、镝（Dy）全方位对比

一、基础属性（资源类型、产量、供给弹性）

1. 锑：主产小金属（半金属）伴生于铅锌、锡矿，存在独立矿脉（锡矿山锑矿），可以单独开采，国内有开采总量配额管控。全球年产量：11万吨，体量巨大。

2. 碲：稀散伴生金属（半金属）无独立矿山，100%来自铜冶炼阳极泥副产物，铜产量不增长，碲产能就无法扩张，供给几乎零弹性。全球年产量：仅550～700吨，总量只有锑的1/200，地壳丰度低于黄金。

3. 镝：重稀土金属（镧系元素）只存在于中国南方离子型稀土矿，属于重稀土，必须和铽、钬等稀土一起分离提纯，无法单独开采；开采受稀土总量指标严格管控。全球年产量：约1.2万吨稀土氧化物，金属镝几千吨级别。

二、高纯牌号壁垒• 锑：工业级5N高纯料产能充足，国内多家冶炼厂可量产，提纯难度低；仅超高纯电子牌号有少量门槛。

• 碲：7N电子级超高纯料提纯壁垒极高，全球商业化量产产能仅150吨，日系厂商长期垄断，扩产周期3～5年。

• 镝：5N超低氧金属镝分离+真空提纯难度极大，稀土分离流程长，半导体靶材级产品认证周期2～3年。

小结：总量规模：锑＞镝＞碲半导体高端牌号紧缺度：镝 ≈ 7N高纯碲 ＞ 高纯锑

锑在半导体里的角色：配角居多，可替代性强，掺杂场景能用磷、砷替代，并非硬性刚需。

碲在半导体里的角色：核心主材，无可替代两大刚需赛道：1️⃣光模块微型制冷片（碲化铋Bi₂Te₃）：1.6T光模块激光器温控唯一商用热电材料，完全没有替代品，是当前AI算力最大增量；2️⃣GST相变存储的核心基体材料；需求结构：光伏+半导体双核心，电子级高纯碲直接绑定算力硬件扩产；不可替代性：室温热电材料没有其他元素可以替代碲。

镝：镝是稀土金属，半导体行业属于高附加值增量，用量小、门槛极高。

三者赛道划分（清晰边界）1. 锑+碲：芯片材料、存储、光电子、热电材料（芯片元器件赛道）2. 镝：半导体设备永磁体、磁性薄膜、被动元件改性（设备+磁电子赛道）

三、AI算力产业链需求差异1. 碲（Te）——算力硬件弹性最大增量来自：800G/1.6T光模块TEC制冷片，用量随光模块速率翻倍上涨；纯增量，存量光伏需求稳固，供需缺口持续拉大。

2. 锑（Sb）——算力只贡献小幅增量AI服务器MLCC、连接器消耗少量锑，整体需求还是由阻燃、光伏主导，算力拉动弹性偏弱。

3. 镝（Dy）——先进制程卡脖子刚需增量来自EUV设备+高端服务器MLCC，属于先进半导体“卡脖子原料”，用量不大，但下游完全无法替代；消费电子增量很小，主要绑定高端芯片产能扩张。

四、稀缺性与不可替代性分级（半导体赛道口径）

第一梯队（刚性瓶颈，无替代）1. 7N高纯碲：光模块热电制冷独家原料，供给产能锁死；2. 超低氧5N金属镝：EUV永磁、MLCC高温改性刚需，稀土指标限制产能。

第二梯队（半导体增量有限，可部分替代）高纯电子锑：仅作为合金组分与掺杂剂，主业在传统工业，供给宽松。

五、市场价格与业务特征1. 碲：总量极小，行情由高端电子级原料缺口驱动，小批量就能拉动价格；冶炼企业营收占比普遍极低，业绩靠单价暴涨。

2. 锑：大宗商品体量，价格主要受国内开采配额、宏观工业周期影响，半导体只是次要题材。

3. 镝：稀土定价体系，价格跟随稀土总量管控+永磁行业景气波动，半导体是额外溢价项。

结论：1. 锑与碲是搭档，共同制作相变存储GST合金；碲是光模块制冷的独家核心材料，刚需更强；锑主业在传统工业，半导体只是边角需求。

2. 镝是稀土磁性材料，主要用于光刻机设备与磁存储，赛道独立。

3. 半导体卡脖子程度：高纯碲≈金属镝＞高纯锑。

就目前热点而言，高纯碲是三者首选。