GaN功率器件正从消费电子快充迈向工业与汽车主战场。针对高压场景，学界与产业界正从横向与垂直两大维度寻求突破。

横向结构方面，通过单片集成、双沟道隔离及双向开关设计，有效提升了集成度、抗串扰与短路耐受能力；同时，材料界面与器件结构的优化显著改善了可靠性。

垂直结构方面，尽管面临同质衬底成本高、掺杂激活难等瓶颈，但新型工程化衬底及多种器件形态正加速探索。

GaN与SiC各具优势，随着工艺不断收敛，GaN在高压工业领域的应用前景正逐渐清晰。