东芯股份表示，存储芯片方面，公司1xnm闪存产品已实现量产并实现产品销售，设计与工艺持续优化；稳步推进2xnm制程SLC NAND Flash系列研发，持续扩充产品料号；基于48nm及55nm制程推进中高容量NOR Flash产品研发；DRAM方面已实现 DDR3(L)、LPDDR1/2/4X及PSRAM量产；持续研发更多MCP容量组合方案；车规级产品方面，多款型号已通过AEC-Q100验证，公司已通过IATF 16949:2016质量管理体系第三方符合性认证，并成功完成多家整车厂的白名单导入。