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标题简单直白:“中国华为在美国制裁下展示芯片设计突破”。 最主要的是理论基础的

标题简单直白:“中国华为在美国制裁下展示芯片设计突破”。

最主要的是理论基础的突破,解决了此前芯片设计制造一直追求物理方面的几何缩小,从14纳米到7纳米再到3纳米。

最重要的是在2031年就可以实现等效1.4纳米,这意味着从另一个途径实现了对芯片制造领域的反超,意味着不再依赖阿斯麦的光刻机依然可以实现先进芯片的制造。

2026年下半年,华为就将推出性能大幅度提升的手机芯片,这对于世界来说都是极具改变芯片产业的事情。

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