韩媒 ETNEWS 报道称，随着 DRAM 尤其是 HBM 业务的竞争力回升，三星电子 DS 部门已开始探讨重启半导体新业务的研发与投资。讨论重点集中在下一代（V10）NAND 闪存、化合物半导体、先进封装及基板等此前进展相对迟缓的技术领域。自 2024 年 4 月和 9 月分别量产第九代 286 层 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本后，三星在 NAND 制程上已停滞超过两年。据悉，V10 NAND 的目标堆叠层数将突破 400 层，以提升单位晶圆产出，这需要引入一系列工艺创新。（IT之家）