除磷化铟和硅之外，薄膜铌酸锂值得重视，其有望逐步实现量产。在今年GTC大会上，已有公司重点提及薄膜铌酸锂，它作为调制器的“无冕之王”，拥有极强的电光效应、超大带宽、超低损耗、超低功耗，是下一代超高速光通信网络的重要材料；当单通道一 手纪 要关 注工众号有 道 调 研速率超过200G时，可能达到薄膜铌酸锂量产的临界点，具体产业放量节奏需重点跟踪。相关标的方面，薄膜铌酸锂材料相关标的包括天通股份、福晶科技、中瓷电子、云南锗业；对应的薄膜铌酸锂芯片公司包括光库科技、安福科技、华工科技、光迅科技等。
Q：光芯片短缺的现状及趋势如何？
A：光芯片短缺是光通信产业的核心命题，且供需失衡情况比市场预期更严峻。Lumentum CEO表示，再过两个季度将提前锁定2028年全年产能，在2026年年中就将售罄2028年全年货量，凸显供不应求的严峻性。回顾历史，2025年2月Lumentum就警示200G EML已处于供不应求状态，预计短缺持续至2026年；2025年11月其在电话会中明确供需失衡进一步扩大，2025年10月所在季度供需缺口从之前的20%扩大至25%-30%，且目前缺口仍在持续恶化。
Q：光芯片需求爆发的原因是什么？
A：光芯片需求爆发主要源于AI产业的快速发展及相关企业的算力扩张。Anthropic的年化收入在短短几个月内从90亿美元暴涨至超过300亿美元；使用Cloud的企业客户中，年支出超过100万美元的大客户数量在不到两个月内从500家翻倍至超过1000家；Anthropic上周宣布与谷歌、博通达成史诗级协议，锁定3.5G瓦算力资源。根据财经杂志保守估算，1G瓦算力集群至少可容纳200万枚英伟达GB200芯片，若按通用口径衡量，1G瓦对应的GPU数量会更高；而高性能算力集群中，GPU和光模块的配比通常超过1:4或1:5，这意味着数百万只高端光模块的需求正在持续释放，进而拉动光芯片需求爆发。
Q：光芯片供给端扩容困难的原因有哪些？
A：光芯片供给端扩容困难主要有两大核心原因。第一，晶圆尺寸及集成度限制：目前硅基芯片已实现12英寸晶圆规模量产，单晶圆可切割大量芯片，而光芯片核心材料磷化铟的主流晶圆尺寸仍停留在2-4英寸，目前正艰难向6英寸推进，导致光芯片产出远低于硅芯片；同时磷化铟芯片集成度极低，相较于可在小范围内置入几十亿个晶体管的硅基CMOS，磷化铟集成度差距显著，且硅本身不发光，光芯片必须用磷化铟制作，导致制造工艺复杂，光子集成及良率爬坡极其缓慢。第二，上游设备交付及产线验证周期长：光芯片上游核心设备MOCVD交付周期长，产线建设也需要一定时间，产线建成、设备采购完成后，生产的样品还需通过下游客户验证校验，整个流程周期远超大模型迭代周期，进一步制约供给扩容。
Q：国外大厂为解决光芯片结构性短缺采取了哪些措施？
A：为解决光芯片结构性短缺，国外大厂主要通过投资锁定产能的方式保障供应。例如英伟达为确保其GD200、Ruby集群稳定运行，分别向Lumentum、Coherent投资20亿美元，此前也向Marvell投资20亿美元，通过这种投资不仅实现财务收益，更重要的是基于产业协同、业务协同的角度，锁定光芯片产能，保障自身供应链稳定。
Q：光芯片厂商的股价上涨逻辑及长期发展前景如何？
A：光芯片厂商股价上涨的核心逻辑是短期供不应求的结构性影响，这种短缺并非传统半导体周期导致，而是由AI革命引发，且短期内无法通过常规周期时间弥补。长期来看，光芯片厂商将深度受益于AI需求爆发及下游应用领域的持续扩容，无论短期还是长期，发展逻辑都非常明确。基于此，建议关注相关重点企业，包括光模块领域的中际旭创、新易盛，光芯片领域的源杰科技、长光华芯、仕佳光子等光器件企业。