【JEDEC计划放宽HBM高度限制】据TrendForce报道，随着HBM的迭代及性能要求的提升，JEDEC固态技术协会考虑再次放宽HBM的高度限制，可能提高至900微米。这是未来缓解存储器制造商的生产瓶颈，支持下一代HBM产品更快地进入大规模生产，不但能降低成本，还能提升良品率。目前无论是三星的TC NCF技术还是SK海力士的MR-RUF技术，都是使用凸块实现层与层之间的连接。要实现更多层数的堆叠，厚度必然会继续增加，现有的技术在原限定高度下很难实现这样的操作。混合键合技术不需要凸块，通过板载芯片和晶圆直接键合，让层与层之间更加紧密，以减少封装厚度。不过混合键合技术尚未完全成熟，而且相比现有的键合技术过于昂贵。如果将HBM的高度要求放宽，那么利用现有技术就能支持更多层数。
