比芯片断供更可怕！中国物理博士尹志尧公开指出：“在半导体领域我们和欧美国家的差距，虽然至少是三代的技术，但这样的劣势只需要花 5 - 10 年的时间来挽回。” 而他如此自信的原因也在于 “人才” 上，他表示：“中国人足够优秀，美国巨头公司的技术骨干、芯片专家基本上都是华人！” 尹志尧1944年出生于北京，1967年从中国科学技术大学化学物理系毕业，随后在兰州炼油厂和中科院系统工作，积累了反应器操作的实际经验。 1978年他考入北京大学化学系读硕士，1980年赴加州大学洛杉矶分校攻读物理化学博士，1984年获得学位后进入硅谷。 起初他在英特尔中心研究开发部担任工艺工程师，第一天就观察到单元操作部门的研究题目组组长和经理绝大部分是华人背景，工艺集成部门的主要骨干工程师中也有不少华人。 1986年尹志尧转入LAM公司，担任研发部资深工程师和经理，用五年时间参与开发包括Rainbow介质刻蚀机在内的一系列设备，帮助公司占据全球刻蚀设备市场40%以上的份额。 1991年他加入应用材料公司，先后担任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官。 在那里他领导多代刻蚀技术的开发和工业化，个人积累86项美国专利及200多项各国专利，成为该领域最具影响力的华人专家之一。 他指出，华人工程师对美国集成电路发展的贡献显著，比如当前先进制程采用的FinFET晶体管结构，由华人教授胡正明在二十多年前提出。 类似观点也出现在邱震海教授的表述中，中国人才主要从14亿人口中选拔，而美国能从全球范围吸纳精英。 与此同时，国内半导体产业发展呈现另一面。新中国成立初期，工业基础薄弱，钱学森等科学家返回后在有限条件下推动基础科研起步，许多知识分子把职业选择与国家建设需求结合。 进入21世纪，中国高校理工科毕业生数量大幅增加，但部分人选择海外深造或就业。2011年前后报道显示，当时海外人才外流规模在全球处于前列。 硅谷实验室里中国背景技术人员参与高端工艺，却较少直接服务国内一线。 国外环境提供先进仪器、稳定经费和国际协作平台，许多留学生完成学业后留在当地，逐步进入核心岗位。 国内企业在设备迭代、项目资源和职业路径上仍有提升空间，导致一些人才在个人机会与产业需求间做出外部选择。 2004年，60岁的尹志尧离开应用材料副总裁职位，带领15名硅谷资深专家回到上海，创办中微半导体设备公司。 公司专注等离子体刻蚀和化学薄膜沉积设备，从张江高科技园区起步，注册资本约4.81亿元。团队从15人规模开始，开发甚高频去耦合反应离子刻蚀等技术，2007年首台CCP刻蚀设备研制成功，随后推出适用于65纳米及更先进节点的系列产品。 中微逐步覆盖介质刻蚀、导体刻蚀和硅通孔刻蚀应用，产品进入国内外先进生产线验证。到2024年前后，公司开发三代共18款刻蚀设备，刻蚀业务收入占比长期保持在80%左右。 尹志尧的职业轨迹体现了人才在不同阶段的流动与回归。他在美国工作近20年，参与主流设备开发；回国后，将专利技术和团队经验用于本土企业建设。 公司通过自主研发与客户验证，在全球刻蚀设备市场占据一席之地。