快讯！快讯！ 关注 我国在光刻胶领域取得重大突破 我国在光刻胶领域真的迎来重大喜讯！财联社10月25日消息，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队有了关键突破。他们用冷冻电子断层扫描技术，首次在原位解析了光刻胶分子在液相环境的微观三维结构等情况，还开发出减少光刻缺陷的产业化方案，相关论文发在了《自然·通讯》。 “显影”是光刻核心步骤，光刻胶在显影液中的运动影响芯片良率。此前，光刻胶微观行为是“黑匣子”，制约先进制程良率提升。这次团队把新技术引入半导体领域，合成分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”。这一突破太牛了，为我国半导体发展注入强大动力！
