【拓荆科技】本土薄膜沉积设备龙头，深度受益两存/先进制程扩产 两存/先进制程扩产预期强化！ 伴随长鑫启动IPO进程，长存传上市预期，2026年两存扩产预期逐步强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量，且随着存储芯片迭代，设备价值量不断提升；先进制程端，随着国产AI、相关消费电子应用需求旺盛，供不应求，有望积极扩产带动上游先进设备需求。 本土薄膜龙头、先进制程机台验证顺利 公司多款先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，逐步进入规模化量产阶段。在PECVD/ALD/SACVD/HDPCVD等领域占据国内领先优势，随着存储端、先进制程端扩产，公司凭借先进产品的性能优势及深厚的技术积累，预计会获得较好的订单份额 国产W2W/C2W混合设备绝对龙头 混合键合设备已应用在3D NAND、CIS等领域，未来有望拓至HBM/3D DRAM等领域，重视产业趋势！当前，公司首台 W2W 键合产品 Dione 300早在23年即通过核心大客户验证，并获得重复订单，为国产首台应用于量产的键合设备；C2W混合键合设备在2024年获得客户订单并出货。 风险提示：下游大型晶圆厂扩产不及预期；行业竞争加剧。