MIT 开发出突破性 X 射线技术：可实时调控半导体材料内部应变，增强芯片电学与光学特性
麻省理工学院（MIT）的研究人员意外发现了一种能够应用于微电子领域的新方法。研究人员利用高强度 X 射线束，不仅可以实时、三维地监测核反应堆环境内的腐蚀、开裂和其他材料失效过程，还能够在实验中精确调控材料内部的应变。
他们发现，在材料和基底之间添加一层二氧化硅缓冲层，并让材料在 X 射线束下停留更长时间，可以提高样品的稳定性。
这一能力有望为改进半导体芯片的电学与光学性能提供新工具。该技术最初用于核反应堆材料研究，意外发现对半导体芯片制造具有应用潜力。
查询发现，相关研究成果已于 8 月 26 日发表在《Scripta Materialia》上。
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