国产光刻机能生产8 nm芯片了？ 别被流量党们忽悠了，工信部公布的两款光刻机与ASML技术差距高达18年！ 工信部公布了两款光刻机，分别是氟化氪和氟化氩光刻机，只说说两款里面最先进的氟化氩。 它的分辨率是65nm，它决定了芯片的精度，也就是说单次曝光能生产的芯片精度就是65nm，多次曝光也只能达到55-65nm精度。 所谓的套刻≤8nm，意思是说每个光刻层之间对齐的精度误差不到8nm，因为芯片是由多个光刻层堆叠而成的，就好比一副扑克牌相互对齐摞起来，每张牌之间对齐的误差是小于等于8nm。 与这款光刻机技术水平相近的荷兰ASML光刻机是其在2006年推出的干式DUV光刻机XT：1450，它的分辨率是57nm，套刻精度为7nm。 当然，之前我们的光刻机的分辨率最小是90nm，从90到65已经是不小的进步了，相信只要我们持续抓下去，离我们彻底干翻ASML也不远了。 我们既不能妄自菲薄，也不能自吹自擂，特别是一些自媒体，还是要在真正地搞清楚了真实情况后，再来写那些鸡血文。
