国产HBM：合肥长鑫、武汉新芯。
长鑫与通富微电合作开发了HBM样品，并已向潜在的客户展示，可能2025年就可以量产上市。此外，长鑫存储已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求。2024年，长鑫存储已经向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备，这表明相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。长鑫存储正在筹钱建设第二座DRAM内存工厂，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造HBM。
武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，此外，武汉新芯还发布了高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设的招标项目，计划利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗的国产高带宽存储器(HBM)产品。
目前，武汉新芯和长鑫存储正处于HBM制造的早期阶段，并且重点放在了HBM2的开发上。尽管国际上已经有了更先进的HBM3和HBM3E产品，但国内存储厂商目前还处于HBM2的研发和产业化阶段。长鑫存储计划制造自己的HBM高带宽内存，但具体要生产的HBM是第几代尚不清楚，有可能是HBM3。🌹
