国产光刻机与国际先进水平仍有一定差距。 国产光刻机在技术上取得了一定的突破，例如，2019年，我国自主研发的光刻机成功实现了22nm工艺制程的投产，这标志着我国光刻机技术的一个重要进步。此外，我国企业在光刻胶、光源等关键技术领域也取得了突破，为光刻机的发展提供了有力的支持。 然而，与国际先进水平相比，我国目前全国产光刻机的技术水平主要集中在28nm左右，而全球光刻机市场主要被荷兰的ASML、日本的尼康和佳能等企业所垄断，这些企业的光刻机技术水平普遍达到了7nm甚至5nm工艺制程。 尽管存在差距，但国产光刻机的研发进程显示了中国在缩小这一差距的努力。例如，中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，其光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来可用于制造10nm级别的芯片，尽管这仅限于实验室阶段。 此外，2024年发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中展示了一系列国内研发的新技术装备，包括光刻机，标志着中国在光刻机领域的一项重大进展，至此我国已经成为全球唯一生产线完整的国家。 在具体的技术细节上，国产光刻机已经实现了氟化氪光刻机(Krf)和氟化氩光刻机(Arf)的研发，分别属于深紫外(DUV)范畴，其中氟化氩光刻机的套刻精度小于8nm，这意味着其可以用于20nm及其以上制程工艺芯片的制造。 虽然有些报道称国产光刻机已经达到了8nm甚至更低的制程技术，但实际情况是，这些报道可能存在误解，因为套刻精度小于8nm并不意味着可以直接用于8nm芯片的制造，而是指前后两道光刻工序之间的图形对准精度达到了8nm以下。 总的来说，国产光刻机在研发进程中取得了显著进展，尤其是在22nm工艺制程的投产和深紫外光刻机的研发方面取得了重要突破。然而，与国际先进水平相比，仍存在一定的差距，需要继续努力缩小这一差距并实现更高制程技术的突破。
