如果你经常关注电脑硬件，应该多少听过“铠侠”这个名字。

但如果把时间往前倒一倒，你会发现，今天的铠侠，其实和我们熟悉的“东芝”有着很深的渊源，更重要的是，沿着这段历史往回看，会发现铠侠今天的存储产品，背后其实一直有一条比较清晰的技术路线：从NAND闪存，到3D NAND，再到SSD等终端存储产品。

这次不聊具体产品参数，单纯来扒一扒：铠侠到底是怎么一路走到今天的？

铠侠的前身是东芝存储器。

1987 年，东芝团队发明了第一颗NAND闪存。随着NAND闪存技术不断发展，其高密度、非易失性等特点，使其逐渐成为U盘、存储卡、SSD等产品的重要存储基础。

2019 年，东芝存储器正式启用“KIOXIA 铠侠”这一品牌名称。所以你现在看到的铠侠，并不是一个突然出现的新品牌，而是延续了此前在闪存领域长期积累的技术路线。

而铠侠这个名字本身也很有意思：KIOXIA = 日语“记忆”（kioku）+ 希腊语“价值”（axia）。从名字到业务，也能看出其核心业务始终围绕存储展开。

如果要聊铠侠，就绕不开它的NAND闪存技术。早期NAND闪存主要通过不断缩小存储单元，提升单位面积上的存储容量。但随着存储单元尺寸持续缩小，单纯依靠平面方向继续提升密度，逐渐遇到了技术瓶颈。

于是，NAND开始从二维平面向三维结构发展。简单理解，就是不再只在“平面”上继续做文章，而是把存储单元向垂直方向堆叠，在相同芯片面积下进一步提升存储密度。

所以现在大家经常看到的“多少层”，本质上反映的是3D NAND通过不断增加垂直堆叠层数，进一步提升存储密度的技术路线。

铠侠的BiCS FLASH，就是其3D NAND闪存技术路线的重要代表。

从二维NAND转向3D NAND，本质上是在解决存储密度持续提升之后遇到的空间限制。而BiCS FLASH则是铠侠围绕3D NAND长期进行技术迭代的一条产品与技术路线。也正因为如此，当我们看到铠侠现在推出的SSD等存储产品时，其背后并不是孤立的产品开发，而是建立在NAND闪存技术持续演进的基础之上。而从NAND闪存技术走向消费者真正使用的SSD，中间还隔着主控、固件以及接口等多个环节。

现在不少高性能SSD已经开始采用PCIe 5.0接口。相比PCIe 4.0，它提供了更高的传输带宽，也给SSD更高的读写性能留下了空间。

不过这里也要纠正一个常见误区：不是只要标了PCIe5.0，SSD就一定很强。接口只是硬件一环，最终固态的实际表现，还取决于闪存颗粒、主控、固件调校等多种元素。

从NAND闪存研发，到3D NAND技术演进，再到SSD等终端产品，铠侠的技术路线其实比较清晰：底层闪存技术的积累，最终会影响到消费者能够直接使用的存储产品。

除了装机使用的固态硬盘，铠侠的存储产品也覆盖移动固态等随身存储场景。也就是说，从芯片层面的NAND闪存，到最终的消费级存储设备，中间形成了一条相对完整的技术与产品链路。

所以再回头看铠侠，会发现它并不是简单地从“东芝”换了一个名字。

从NAND闪存，到3D NAND，再到BiCS FLASH，以及最终落到SSD、移动固态等产品，背后其实是一条持续演进的存储技术路线。以后再看到铠侠，与其只关注产品参数，不妨多看一步：看看这些产品背后的NAND技术是已经进阶到哪一步了。