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存储芯片|深度梳理 12 家核心企业1. 澜起科技|内存接口芯片|AI算力核心-

存储芯片|深度梳理 12 家核心企业1. 澜起科技|内存接口芯片|AI算力核心- 核心壁垒:DDR5 RCD 全球市占 45%+,CXL/HBM 控制器领先,深度绑定三星/美光/海力士- AI 受益:AI 服务器标配 DDR5+HBM,接口芯片量价齐升;HBM3 控制器获英伟达认证- 业绩:2025 年净利预增 52%–66%,2026 年 HBM 放量再提速2. 北京君正|车规存储龙头|AI 车机核心- 核心壁垒:车规 SRAM 全球第一(29%)、车规 DRAM 全球第二(15%);收购 ISSI 补齐产品矩阵- AI+车载:智能座舱/自动驾驶拉动大容量 DRAM,车规级认证齐全- 业绩:车载存储高增,2026 年 AI 车机放量,净利增速 40%+- 逻辑:车规+AI 双赛道共振3. 兆易创新|存储设计龙头|全品类平台- 核心壁垒:NOR Flash 全球第三(18%)、利基 DRAM 国内第一;国内唯一全品类布局- AI+国产:绑定长鑫存储,DDR5/车规 DRAM 放量;AI 终端+工业存储双轮驱动- 业绩催化:2026 年 DRAM 涨价+车规级突破,净利弹性超 50%- 逻辑:板块压舱石,涨价+国产替代+AI 三重受益,机构重仓4. 东芯股份|中小容量存储|国产替代先锋- 核心壁垒:SLC NAND 国产第一(30%+),NOR/DRAM 全覆盖,拥有 AEC-Q100 车规认证- 涨价红利:海外大厂削减 SLC 产能,价格上行;工业/物联网/车载需求刚性- 业绩:2026 年量价齐升,净利增速 60%+5. 江波龙|存储模组龙头|企业级+车规- 核心壁垒:国内模组龙头,Lexar 品牌;自研主控,覆盖消费/工业/车规/企业级- AI+数据中心:企业级 SSD/内存条受益 AI 服务器,DDR5/HBM 模组放量- 业绩:2025 年净利预增 193%–218%6. 佰维存储|嵌入式+车规+AI 端侧|高弹性黑马- 核心壁垒:嵌入式存储国内领先,车规级 eMMC/UFS 通过比亚迪认证;自建封测产线- AI+端侧:AI 终端/边缘计算存储爆发,布局 HBM 封测- 业绩:2025 年净利预增 427%–520%;2026 年 AI 端侧+车规双轮驱动,净利增速 300%+7. 深科技|DRAM 封测龙头|长鑫核心配套- 核心壁垒:国内最大 DRAM 封测,沛顿科技市占 30%+;绑定长鑫存储,HBM3 封测良率 99%+- 扩产红利:长鑫 DDR5 扩产+HBM 封测需求爆发,月产能 15 万片,订单饱满- 业绩:2026 年封测+模组双轮驱动,净利增速 50%+8. 通富微电|先进封装+HBM 封测|AI 封测龙头- 核心壁垒:HBM3 封测良率 99%+,获长鑫订单;先进封装技术领先,覆盖存储/AI 芯片- AI 受益:HBM/Chiplet 封装需求爆发- 业绩:2025 年净利增 40%+;2026 年 HBM 封测放量,净利增速 60%+9. 北方华创|半导体设备龙头|存储扩产核心- 核心壁垒:刻蚀/沉积/清洗设备全覆盖,存储业务占比 30%+;长鑫/长江存储核心供应商- 扩产红利:2026 年存储扩产高峰,在手订单超 150 亿,设备交付周期拉长- 业绩:2026 年存储设备高增,净利增速 40%+10. 中微公司|刻蚀设备龙头|3D NAND+HBM- 核心壁垒:介质刻蚀国内领先,3D NAND/HBM 先进制程验证通过;薄膜沉积市占 20%+- AI+先进制程:HBM/3D NAND 扩产拉动刻蚀需求,2026 年订单爆发- 业绩:2026 年存储设备高增,净利增速 50%+11. 香农芯创|HBM 分销龙头|AI 渠道稀缺- 核心壁垒:SK 海力士核心代理商,HBM 现货渠道稀缺;国内 AI 服务器 HBM 主要分销商- AI 受益:HBM 供不应求,分销价差扩大- 业绩:2026 年 HBM 分销+自研存储双轮驱动,净利增速 100%+12. 聚辰股份|SPD 芯片+EEPROM|细分龙头- 核心壁垒:DDR5 SPD 全球第一(50%+),与澜起形成双寡头;EEPROM 国内第一- AI+DDR5:DDR5 渗透率提升,SPD 芯片量价齐升;AI 终端 EEPROM 需求爆发- 业绩:2026 年 DDR5+AI 双轮驱动,净利增速 70%+- 逻辑:细分赛道隐形冠军 风险提示:以上信息基于公开资料整理,不构成任何投资建议。