日本佳能（Canon），全球曝光机生产领域的重要参与者之一，近日在半导体领域迈出了一项重要的技术突破。佳能首席执行官御手洗富士夫宣布，他们推出的FPA-1200NZ2C纳米压印（NIL）半导体设备将为小型半导体制造商提供生产先进芯片的全新途径，有望挑战由ASML主导的先进半导体制造设备市场。

岩本和德，佳能半导体设备业务部长，解释说纳米压印技术通过将印有半导体电路图的光罩压印到晶圆上，仅需一次压印，就能在适当位置形成复杂的2D或3D电路图。这项技术的独特之处在于，改进光罩后，甚至能够生产2纳米芯片。对于5纳米制程及以下的先进半导体制造设备市场，通常由ASML的EUV光刻机主导，佳能的纳米压印技术可能有望缩小与ASML的技术差距。

御手洗富士夫表示，纳米压印1次工序的成本有时能降至传统曝光设备工序的一半，客户的成本因条件而异。与传统的刻蚀电路方法相比，纳米压印的耗电量可以降至1/10，而且设备成本相对较低，规模小，易于引进。

在2017年，佳能与铠侠、大日本印刷合作开发纳米压印技术。如今，这一技术的实用化已经在望，成为客户选择的备受期待的替代品。佳能的纳米压印技术目前在全球独树一帜，进入门槛较高。

这一技术突破对佳能而言有望成为重新夺回光刻市场的机遇。然而，值得注意的是，ASML已经向英特尔交付了首台2纳米EUV光刻机，佳能要想依靠纳米压印技术对抗ASML，短期内或许面临较大挑战。

纳米压印技术的成功推出标志着佳能在自主研发领域取得的重要成果，也为全球半导体产业的技术创新带来新的可能性。随着半导体产业的快速发展，技术竞争将愈发白热化，佳能的纳米压印技术是否能在市场上占据一席之地，成为业界关注的焦点。

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