SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示，预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数。
本月有消息称SK海力士开始批量生产下一代先进的HBM3E芯片。HBM芯片是高级存储芯片，在英伟达和其他公司生产的GPU中需求量很大，可处理大量数据。
此前市调机构TrendForce预计截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV（硅通孔）的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1800K/m）约14%，HBM供给数量年增长率可达260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
TrendForce同时预估了三大HBM厂商的HBM/TSV产能，其中三星HBM TSV年产能将在2024年达到130K/m。SK海力士次之，可达120~125K/m；美光相对较少，仅为20K/m。目前三星、SK海力士规划提高HBM产能最积极，其中SK海力士在HBM3市场的占有率逾90%，而三星将连续数个季度紧追，未来将受惠于AMD MI300芯片的逐季放量。
