为助力下一代800VDC AI数据中心达成98.5%的能效，Navitas Semiconductor（纳微半导体）近日推出一款号称具有突破性意义的10 kW DC - DC电源平台。

该平台具备卓越性能，最高能够实现98.5%的峰值效率以及1 MHz的开关频率，可提供前所未有的功率密度，从而有力支持下一代AI数据中心的快速大规模拓展。

这款全氮化镓（All - GaN）的10 kW 800V转50V DC - DC平台，于全砖（full - brick，尺寸为61 × 116 × 11 mm）封装之内，采用了先进的650V和100V GaNFast FETs（场效应晶体管）。它运用三电平半桥架构并配合同步整流技术，达成了98.5%的峰值效率与98.1%的满载效率，功率密度高达2.1 kW/in³。

此面向生产的平台支持800V转50V以及±400V转50V架构，在10 kW功率的情况下集成了辅助电源和控制功能，其目的在于简化采用流程，并且为下一代高压直流（HVDC）AI数据中心实现高功率密度的模块化设计。

若欲了解更多详情，可阅读Navitas撰写的《重塑数据中心电力：面向下一代800 VDC基础设施的GaN和SiC技术》白皮书。

Navitas Semiconductor总裁兼首席执行官Chris Allexandre宣称：“该设计平台推动了向HVDC数据中心电力基础设施的转变，契合了AI工作负载未来的电力需求，这些需求每查询的计算量将增长100倍甚至1000倍。Navitas持续重新界定AI数据中心电力的可能性，这款10 kW DC - DC解决方案呈现出突破性的效率、功率密度和可扩展性，使其运行更为迅速、温度更低，同时更具可持续性。”

目前，该10 kW DC - DC平台正通过合作开发由关键数据中心客户进行评估，并将于3月22日至26日在美国圣安东尼奥举办的APEC展会上，于Navitas展台上首次公开亮相。

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