

北卡罗来纳州罗利讯 —— 日本 Stanley Electric 旗下的子公司 HexaTech 宣布,立即推出其新型 3英寸(76.2毫米)直径单晶氮化铝(AlN)衬底产品。
这一新产品被视为迈向实现 100毫米(4英寸)直径材料 的关键过渡里程碑,将有力支持未来氮化铝基高压和高频电子器件的大批量生产。
HexaTech 研发经理 Rafael Dalmau 表示:“随着此次3英寸产品的发布,HexaTech 继续秉承历史传统,向业界提供具有行业领先结构和表面质量的氮化铝材料。我们保留了多年来在现有2英寸平台上一直生产的宏观无缺陷性能。”
HexaTech 商务发展副总裁 Gregory Mills 指出:“HexaTech 继续通过向客户提供更优质的产品以及更低的单位面积价格来提升价值。这一加速发展的趋势将使我们的客户能够迅速从器件研发过渡到生产阶段。”
💡 关键信息解读为了帮助你更好地理解这篇新闻的价值,我整理了以下技术要点:
表格
关键项
说明
产品规格
3英寸(76.2mm)单晶氮化铝(AlN)衬底
战略意义
从2英寸研发级向4英寸(100mm)量产级过渡的关键一步
核心优势
保持了“宏观无缺陷”的高性能,同时降低了单位面积成本
应用前景
高压电子器件、高频电子器件(通常用于射频、深紫外光电器件等高端领域)
总结: 这一发布标志着氮化铝(AlN)这种超宽禁带半导体材料正在从实验室研发走向商业化量产的重要阶段。
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