手机互联、PD快充已成座舱标配，USB-C口需在12V母线侧提供5V/3A输出，并在待机时彻底关断反向漏电流，防止手机电池倒灌。传统P-MOS+Schottky方案占板大、压降高、关断慢。微硕WINSOK推出的WST2307 -30V/-4.2A P沟MOSFET，以50mΩ低导通电阻、9.7nC超低栅极电荷和SOT-23L封装，一颗完成“高边开关+反向阻断+OVP”，助力USB模块实现微安级待机、毫伏级压降、1ms极速唤醒。

USB-C口痛点

反向倒灌：手机电池≥4V，VBUS掉电后倒灌电流>100μA，超出PD规范。

压降敏感：5V/3A时，每10mΩ增加30mV，影响PD3.0 5V@3A满载补偿。

空间极限：USB板藏于中控扶手，可用面积<8mm×8mm，高度<1.2mm。

零待机：整车休眠<300μA，USB路径漏电流需<1μA。

WST2307关键特性

50mΩ@-10V，4.2A下压降210mV，比Schottky方案降低60%，满载温升<15℃。

-30V耐压，可承受-12V误插与VBUS热插拔尖峰，省去TVS，BOM减1颗。

9.7nC总Qg，可用1.8V GPIO直接驱动，关断延迟8.4ns、下降时间52ns，1ms内完成唤醒。

SOT-23L 2.9×1.3×1.0mm，占板3.8mm²，比DFN2×2再省40%，可贴于USB舌片背面。

漏电流-1μA@-10V，55℃下<5μA，路径总漏电流<0.5μA，整车暗电流再降80μA。

典型应用拓扑

高边负载开关将WST2307置于VBUS正极，MCU拉低栅极导通，2ms内输出5V/3A；熄火后栅极高电平关断，倒灌电流<0.1μA，实测整车静态电流降低120μA。

反向阻断P管高边天然阻断-30V反向电压，手机电池4.2V倒灌被完全截止，通过PD3.0倒灌测试<1μA，省去传统串联Schottky，压降再降400mV。

OVP+软关断当VBUS>5.8V，MCU立即拉低栅极，52ns关断，保护手机PMIC；同时体二极管钳位-1V，避免负向过冲，通过USB-IF 1kV热插拔测试。

零待机功耗USB休眠后，栅极置0V，IDSS仅-1μA，路径总漏电流<0.5μA，整车暗电流预算富余，延长驻车时间15天。

散热与可靠性在3A满载、功耗630mW工况下，结温=85℃+0.63W×125℃/W=164℃，低于150℃极限。内置R g=1Ω抑制dV/dt，通过ISO7637-2 24V抛负载与±8kV ESD空气放电，无外部TVS亦可存活。

结论WST2307以“30V耐压+4.2A大电流+亚10nCQg”三位一体，在车载USB-C口实现微安级待机、毫伏级压降、亚100ns关断三大功能。其毫欧级导通与P沟高边架构让USB充得快、断得彻底、睡得省，为座舱USB模块提供一颗管搞定的“反向高边核”。