存储芯片：12家核心本文基于公开信息整理，不构成任何投资建议。一、存储设计芯片1. 澜起科技｜内存接口芯片龙头，AI算力核心核心壁垒：DDR5 RCD全球市占率超45%，CXL/HBM控制器技术领先，深度绑定三星、美光、海力士。AI受益：AI服务器标配DDR5+HBM，接口芯片量价齐升；HBM3控制器已获英伟达认证。业绩看点：2025年净利预增52%–66%，2026年HBM相关业务进入放量加速期。2. 北京君正｜车规存储龙头，AI车机核心核心壁垒：车规SRAM全球第一（市占29%）、车规DRAM全球第二（市占15%），收购ISSI完善产品矩阵。AI+车载：受益智能座舱、自动驾驶对大容量DRAM需求，车规级认证齐全。业绩看点：车载存储高增长，2026年AI车机放量，净利增速有望超40%。投资逻辑：车规+AI双赛道共振。3. 兆易创新｜全品类存储设计龙头核心壁垒：NOR Flash全球第三（市占18%），利基DRAM国内第一，国内唯一全品类存储布局。AI+国产：深度绑定长鑫存储，DDR5/车规DRAM持续放量；AI终端+工业存储双轮驱动。业绩催化：2026年DRAM涨价+车规级突破，净利弹性超50%。投资逻辑：板块压舱石，涨价+国产替代+AI三重受益，机构核心重仓。4. 东芯股份｜中小容量存储，国产替代先锋核心壁垒：SLC NAND国产第一（市占30%+），NOR/DRAM全覆盖，拥有AEC-Q100车规认证。涨价红利：海外大厂缩减SLC产能，价格上行；工业、物联网、车载需求刚性。业绩看点：2026年量价齐升，净利增速有望超60%。5. 聚辰股份｜SPD芯片+EEPROM细分龙头核心壁垒：DDR5 SPD全球第一（市占50%+），与澜起科技形成双寡头格局；EEPROM国内第一。AI+DDR5：DDR5渗透率持续提升，SPD芯片量价齐升；AI终端带动EEPROM需求爆发。业绩看点：2026年DDR5+AI双轮驱动，净利增速有望超70%。投资逻辑：细分赛道隐形冠军。二、存储模组与嵌入式6. 江波龙｜存储模组龙头，企业级+车规双布局核心壁垒：国内存储模组龙头，拥有Lexar品牌；自研主控，覆盖消费、工业、车规、企业级。AI+数据中心：企业级SSD/内存条受益AI服务器需求，DDR5/HBM模组放量。业绩看点：2025年净利预增193%–218%。7. 佰维存储｜嵌入式+车规+AI端侧高弹性黑马核心壁垒：嵌入式存储国内领先，车规级eMMC/UFS通过比亚迪认证，自建封测产线。AI+端侧：AI终端、边缘计算存储需求爆发，布局HBM封测。业绩看点：2025年净利预增427%–520%；2026年AI端侧+车规双轮驱动，净利增速超300%。三、存储封测8. 深科技｜DRAM封测龙头，长鑫核心配套核心壁垒：国内最大DRAM封测厂商，沛顿科技市占率超30%；深度绑定长鑫存储，HBM3封测良率超99%。扩产红利：长鑫DDR5扩产+HBM封测需求爆发，月产能15万片，订单饱满。业绩看点：2026年封测+模组双轮驱动，净利增速超50%。9. 通富微电｜先进封装+HBM封测，AI封测龙头核心壁垒：HBM3封测良率超99%，获长鑫订单；先进封装技术领先，覆盖存储/AI芯片。AI受益：HBM/Chiplet封装需求爆发。业绩看点：2025年净利增超40%，2026年HBM封测放量，净利增速超60%。四、半导体设备10. 北方华创｜半导体设备龙头，存储扩产核心核心壁垒：刻蚀/沉积/清洗设备全覆盖，存储业务占比超30%；长鑫/长江存储核心供应商。扩产红利：2026年存储行业进入扩产高峰，在手订单超150亿，设备交付周期拉长。业绩看点：2026年存储设备高增长，净利增速超40%。11. 中微公司｜刻蚀设备龙头，受益3D NAND+HBM核心壁垒：介质刻蚀国内领先，3D NAND/HBM先进制程已验证通过；薄膜沉积市占率超20%。AI+先进制程：HBM/3D NAND扩产拉动刻蚀设备需求，2026年订单有望爆发。业绩看点：2026年存储设备高增长，净利增速超50%。五、HBM分销渠道12. 香农芯创｜HBM分销龙头，AI渠道稀缺标的核心壁垒：SK海力士核心代理商，HBM现货渠道稀缺，国内AI服务器HBM主要分销商。AI受益：HBM供需持续紧张，分销价差扩大。业绩看点：2026年HBM分销+自研存储双轮驱动，净利增速超100%。