🚀 这张图在讲什么 图片展示的是 Intel Foundry（英特尔代工）制程路线图，覆盖 2025 到 2028 年，系统梳理了 FinFET 与 RibbonFET 两条技术主线，以及 PowerVia 背面供电和 High-NA EUV 等关键突破，目标是让英特尔重新站上先进制程的第一梯队。 🧩 制程结构总览 路线图从下到上分为成熟节点 FinFET 与新一代 RibbonFET 两大体系。下层强调稳定量产和客户兼容，上层聚焦性能 功耗 与密度的跨代跃迁。右侧时间轴清晰标出每一代技术的落地节奏。 ⚙️ FinFET 体系的承接与延展 在成熟节点层面，英特尔继续提供 Intel 7 Intel 16 以及 16-E 等节点，面向对成本 良率 和供应稳定性敏感的客户。同时 Intel 3 Intel 3-T 与 3-E 承担从传统 FinFET 向下一代架构过渡的角色，为代工客户提供更平滑的技术迁移路径。 🔋 18A 家族 PowerVia 的首次规模化 Intel 18A 是路线图中的关键拐点，也是行业首批引入 PowerVia 背面供电的节点之一。该技术将供电网络移至晶体管背面，显著降低压降与干扰。随后推出的 18A-P 与 18A-PT 分别代表性能增强与 3D 穿硅通道叠加版本，面向高性能计算与 AI 芯片需求。 🧬 14A 与 High-NA EUV 的跃迁 Intel 14A 被标注为行业首批采用 High-NA EUV 的制程之一，并全面结合 RibbonFET 与 PowerDirect。这意味着在晶体管结构 曝光精度 与能效比上同时推进。14A-E 作为特性扩展版本，为特定应用场景提供定制能力，后续还预留了未来衍生节点。 🏭 代工战略背后的真实意图 这张路线图不仅是技术清单，更是英特尔代工业务重建信誉的时间承诺。通过明确节点节奏 引入行业领先工艺 并对外开放代工能力，英特尔希望在 2026 到 2028 年重新成为先进制程的重要选择之一。 📌 补充说明 图中标注的 P 代表性能提升 T 代表 3D 穿硅通道堆叠 E 代表功能或特性扩展 所有规划节点均可能随良率 设备与客户需求调整 🧠 一句话总结 这不是一张简单的制程图，而是英特尔试图用时间表换回信任 用工艺创新重新定义自身在全球半导体代工格局中位置的路线宣言。 春节经济学