IT之家2月13日消息，据韩媒《ChosunBiz》报道，韩美半导体（HanmiSemiconductor）于11日参加“SemiconKorea2026”半导体展会，同步展示新型宽幅热压键合设备（IT之家注：WideTCBonder）。

据报道，韩美半导体当天发布的新型宽幅热压键合设备主要是为下一代高带宽内存产品HBM5、HBM6打造，公司代表人表示：“由于技术难题，HBM量产所用的混合键合（HybridBonder）设备商业化进程被推迟。而我们的新型宽幅热压键合设备有望填补这一空白”。

据悉，这项技术可在HBMDie面积扩大时增加硅通孔（TSV）以及I/O数量，相比传统的高堆叠方式能够改善功耗。同时还能够增加连接DRAMDie的中介层（Interposer）与微凸点（MicroBump）数量，有利于提升内存容量以及带宽。

此外，这项技术还可选配“无助焊剂（Fluxless）键合”，能够减少芯片表面的氧化层并增加接合强度，有助于进一步降低HBM的厚度。

该公司还认为，这项技术能够提升HBM的生产良率、质量，为HBM5、HBM6的发展铺路。