外媒：由中国科学技术大学领衔的中美联合研究团队，近期在《科学》（Science）杂志发表重要研究，宣布开发出一种突破性的“自蚀刻”（Self-etching）半导体制造技术。该技术解决了传统光刻机在处理2D卤化铅钙钛矿材料时的致命伤。 传统光刻采用激光垂直刻蚀，光线侧向散射会造成失控损伤，尤其在超薄、柔软且不稳定的2D晶格材料中。该工艺实现了全球首创的侧向微结构受控加工，在不破坏材料物理结构的前提下，于超薄钙钛矿层中制造出复杂且精细的结构。 此方法为开发高性能发光器件和集成半导体设备开辟了全新路径，有望超越当前主流电子产品依赖的传统光刻精度限制。该成果通过在二维空间中加入受控的侧向维度，为半导体性能的革命性提升提供了可能。
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